AO8820-TSSOP8 AO8822 cmos N沟道增强型MOS
Rθjl5370wmaximum结到引线C稳态°C / W热characteristicsparameter unitsmaximum结到环境在≤10srθJA°C／wmaximum结到环境的稳定状态的C / W°±12gate voltagedrain 20continuous源源电压漏电流= 25 = 70 CTA unitsparameterta°°cabsolute额定值TA = 25°C除非另有notedvv5.525pulsed漏电流功耗TA = 25 B°cjunction和储存温度作用距离PD°C 1.50.96-55 150 Ta = 70 C id7ao8820°共漏双N沟道增强型场效应晶体管特性VDS（V）= 20V的ID = 7A（VGS = 10V）RDS（ON）＜21m??（VGS = 10V）RDS（上）＜24m??（VGS = 4.5V）RDS（上）＜2??（VGS =3.6V）RDS（上）＜32m??（VGS = 2.5V）RDS（上）< 50??（VGS = 1.8V）：2000V HBM ESD等级G1 G2 s2s2d1 d21234 s1s1d1 / D2 / 8765 tssop-8top g1d1 S1 S2 G2 D2
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